キオクシアとサンディスク、AI市場向けに「Kitakami Fab 2」を発表

Kioxia Corporation and Sandisk Corporation have begun production at Fab2 (K2). This advanced semiconductor facility is located in Kitakami, Iwate Prefecture, Japan. Fab2 can make eighth-generation, 218-layer 3D flash memory. It uses the company’s CMOS Direct Bonding (CBA) technology. Also, it’s built to support future advanced 3D flash memory nodes. Mass production should start in early 2026. Output will rise due to demand from AI and high-performance computing.

耐震設計、省エネマシン、AIを活用した効率化手法などを採用。コンパクトな設計でクリーンルームのスペースを拡大し、半導体製造を推進。日本政府が支援するこのプロジェクトは、高密度ストレージ・ソリューションの国際競争力強化を目的としています。

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株式会社キオクシア そして サンディスクコーポレーション have collaborated for over 20 years. They have shared their skills to develop 3D flash memory. Fab2’s launch shows their drive for innovation. They meet the rising demand for large storage in AI and data-heavy markets.

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